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電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

發(fā)布于:2018/12/18 9:53:49 點擊量:71

電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

電解除垢系統(tǒng)(HGEST)詳見 http://m.douaibo.com/product/list/20170106090733.html 

新千年的革命性發(fā)展,HGEST代表了在線除垢技術(shù)的新水平。HGEST通過電解原理來實現(xiàn)設(shè)備保護(hù)和除垢目的,主要用于賓館飯店、醫(yī)院、學(xué)校、大型公共場所的冷熱水

系統(tǒng)、工業(yè)冷卻循環(huán)水、中央空調(diào)系統(tǒng)冷卻循環(huán)水、飲用水等領(lǐng)域。

水在反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行處理,經(jīng)歷了電解的過程。在電解過程中,陰極發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生OH-離子,增加反應(yīng)室內(nèi)壁附近的pH值,加強(qiáng)反應(yīng)室壁附近的堿性環(huán)境。

鄰近反應(yīng)室壁的擴(kuò)散層,擾亂了水垢的化學(xué)平衡,形成碳酸鈣從水中析出,附著在內(nèi)壁上。

同時陰極的電流導(dǎo)致溶解的重金屬元素的離子形成沉淀,沉到反應(yīng)室底部。應(yīng)該提請注意的是HGEST不是電解軟水器。HGEST系統(tǒng)沉淀出來的碳酸鈣是那些在冷卻水管路

中易于沉積下來的部分。這些有害的沉積,會堵塞管道,產(chǎn)生水垢和增加腐蝕,降低熱交換效率,阻礙生產(chǎn)。EST系統(tǒng)能夠把進(jìn)入反應(yīng)室水中的鈣永久的沉淀去除30%以

上。這個百分比也會隨著水中的組成而變化。

在反應(yīng)室內(nèi)壁附近發(fā)生的主要化學(xué)反應(yīng)有:

2H2O (l) + 2e- → H2 (氣) + 2OH- (aq)

堿性溶液中發(fā)生的反應(yīng)(陰極附近)

CO2(aq)+ OH-(aq) → HCO3- (aq)

HCO3- (aq) + OH- (aq) → CO32-(aq) + H20(液)

Ca2+(aq) 鈣離子可能形成

氫氧化鈣: Ca(OH)2(垢)

碳酸鈣: CaCO3(垢) 

電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

陽極附

電解除垢系統(tǒng)(EST)

新千年的革命性發(fā)展,HGEST代表了在線除垢技術(shù)的最新水平。EST通過電解原理來實現(xiàn)設(shè)備保護(hù)和除垢目的,主要用于賓館飯店、醫(yī)院、學(xué)校、大型公共場所的冷熱水

系統(tǒng)、工業(yè)冷卻循環(huán)水、中央空調(diào)系統(tǒng)冷卻循環(huán)水、飲用水等領(lǐng)域。

水在反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行處理,經(jīng)歷了電解的過程。在電解過程中,陰極發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生OH-離子,增加反應(yīng)室內(nèi)壁附近的pH值,加強(qiáng)反應(yīng)室壁附近的堿性環(huán)境。

鄰近反應(yīng)室壁的擴(kuò)散層,擾亂了水垢的化學(xué)平衡,形成碳酸鈣從水中析出,附著在內(nèi)壁上。

同時陰極的電流導(dǎo)致溶解的重金屬元素的離子形成沉淀,沉到反應(yīng)室底部。應(yīng)該提請注意的是HGEST不是電解軟水器。HGEST系統(tǒng)沉淀出來的碳酸鈣是那些在冷卻水管路

中易于沉積下來的部分。這些有害的沉積,會堵塞管道,產(chǎn)生水垢和增加腐蝕,降低熱交換效率,阻礙生產(chǎn)。EST系統(tǒng)能夠把進(jìn)入反應(yīng)室水中的鈣永久的沉淀去除30%以

上。這個百分比也會隨著水中的組成而變化。

在反應(yīng)室內(nèi)壁附近發(fā)生的主要化學(xué)反應(yīng)有:  詳見 http://m.douaibo.com/product/list/20170106090733.html 

2H2O (l) + 2e- → H2 (氣) + 2OH- (aq)

堿性溶液中發(fā)生的反應(yīng)(陰極附近)

CO2(aq)+ OH-(aq) → HCO3- (aq)

HCO3- (aq) + OH- (aq) → CO32-(aq) + H20(液)

Ca2+(aq) 鈣離子可能形成

氫氧化鈣: Ca(OH)2(垢)

碳酸鈣: CaCO3(垢) 


陽極附近發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)有:

生成氧氣

4HO- → O2(g) + 2H20 + 4e-

游離氯

Cl- – e- → Cl0

氯氣

2Cl-(aq) → Cl2(g) + 2e-

臭氧

O2 + 2HO- – 2e- → O3(g) + H2O

自由基

OH- – e- → OH0

過氧化氫

2H2O – 2 e- → H2O2 + 2H+

氧自由基

2H2O – 2e- → O0 + 2 H+

反應(yīng)室

電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

特殊長壽命鈦基電極,專門為大電流而設(shè)計,表面涂覆氧化鎳涂層(TiNiO),該電極是杭州桂冠環(huán)保科技有限公司專門為HGEST系統(tǒng)設(shè)計的。

微電腦控制的全自動活塞,用于自動清理反應(yīng)室中形成的水垢。

①      反應(yīng)室(陰極)②      陽極③      馬達(dá)④      進(jìn)水口⑤      排污口⑥      刮刀⑦      出水口⑧      供電和控制單元

⑨      刮刀導(dǎo)桿供電和控制單元包括

一個用于停止系統(tǒng)動作的重置按鈕。電導(dǎo)率測試電路,用于根據(jù)所處理的水的電導(dǎo)率來調(diào)整工作電流。

根據(jù)不同的處理程序提供相應(yīng)的可選擇功能。


監(jiān)測EST系統(tǒng)的工作狀態(tài),配電柜面板上有四個數(shù)據(jù)顯示,電導(dǎo)率,電解電流pH


除垢和自清洗過程必要的時候,微電腦給出命令,驅(qū)動馬達(dá),這個刮刀與反應(yīng)室的內(nèi)部尺寸正好吻合。進(jìn)水閥門自動關(guān)閉,馬達(dá)緩慢旋轉(zhuǎn),將反應(yīng)室內(nèi)壁上的軟性的水

垢清掃和刮洗到反應(yīng)室的底部,接著出水閥門自動打開,通過一臺大功率的泵將積累起來的水垢抽出反應(yīng)室。最后進(jìn)水閥門打開,新鮮的水進(jìn)入反應(yīng)室。這個過程周期

性進(jìn)行,由EST微電腦控制。

HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)的兩個應(yīng)用


HGEST系統(tǒng)和冷卻塔的組合方式有兩種:


在冷卻塔中,HGEST系統(tǒng)能在兩種情形中組合。

A 補(bǔ)給水處理;

B 冷卻循環(huán)水旁流處理。

選擇A 時,HGEST系統(tǒng)安裝在補(bǔ)給水管路上,只處理補(bǔ)給水。HGEST系統(tǒng)的大小由此流量確定。

選擇B 時,所有的冷卻水都被處理。在冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和EST系統(tǒng)之間須要安裝一臺循環(huán)泵,所有的冷卻水都被處理,包括補(bǔ)充水。這是根據(jù)客戶需要的解決方案,因

為隨著濃縮倍率的增加,水的硬度也會增加。在這種情況下,EST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。

注意:泵是可選項。

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計有下面五種流量,大流量設(shè)計請洽代理商。詳見 http://m.douaibo.com/product/list/20170106090733.html 

HGEST 5,流量5 m3/hr;HGEST 5表示5m3/h;

HGEST 10,流量10 m3/hr;

HGEST 15,流量15 m3/hr;

HGEST 25,流量25 m3/hr。

工作壓力為6bar。

最大工作溫度50℃。正常使用情況下,EST系統(tǒng)保質(zhì)期12月。

根據(jù)多年的經(jīng)驗和研究,在EST預(yù)結(jié)垢系統(tǒng)中,既能沉淀那些傾向沉淀的垢,但也能導(dǎo)致硅石沉淀。硅石沉積是因為在水中與其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀,沉淀其他多價

離子與其發(fā)生反應(yīng)。

硅石的溶解性取決于很多因素,例如:pH 值,溫度,水中微粒的大小,微粒的水合作用以及其它存在的離子。堅硬硅石垢是在碳酸鈣或者其它礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)硅石

的晶格形成。只有通過絕對控制腐蝕和微生物才可能預(yù)防硅石沉淀。

杭州桂冠環(huán)??萍加邢薰疽呀?jīng)研發(fā)了電解系統(tǒng)用來防止垢結(jié)晶以及硅石的沉淀。電解系統(tǒng)與EST系統(tǒng)串聯(lián)起來使用,輔助EST、更好的推動以及更有效的在水系統(tǒng)中對

硅石沉淀和防止硅石結(jié)晶。+電解系統(tǒng)由不同材料通過不同部件以及健康部門允許的標(biāo)準(zhǔn)組成的陽極所構(gòu)成,用來阻止硅石垢結(jié)晶。


累計水垢被泵送通過高功率泵離開反應(yīng)室。 。最后,入口閥打開,淡水進(jìn)入反應(yīng)室。該過程周期性地執(zhí)行并由HGEST微計算機(jī)控制。 HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)中的兩種

應(yīng)用 將HGEST系統(tǒng)和冷卻塔結(jié)合使用有兩種方法: 在冷卻塔中,HGEST系統(tǒng)可以在兩種情況下組合。 補(bǔ)水處理; B冷卻循環(huán)水旁路處理。 選擇A時,HGEST系統(tǒng)安裝在

供應(yīng)線上,僅供應(yīng)補(bǔ)給水。 HGEST系統(tǒng)的大小由該流程確定。 選擇B時,處理所有冷卻水。冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和HGEST系統(tǒng)之間需要循環(huán)泵,所有冷卻水都經(jīng)過處理,包

括補(bǔ)給水。這是一種基于客戶需求的解決方案,因為隨著濃度比的增加,水的硬度增加。在這種情況下,HGEST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。 注意:泵是可選的。 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)

計有以下五種流程,請聯(lián)系代理商進(jìn)行大流量設(shè)計。 HGEST 5,流速5 m3/hr; HGEST 5表示5m3/h; HGEST 10,流量10 m3/hr; HGEST 15,流量15 m3/hr; HGEST 25,

流量25 m3/hr。 工作壓力為6巴。 最高工作溫度為50°C。在正常使用情況下,HGEST系統(tǒng)的保質(zhì)期為12個月。 根據(jù)多年的經(jīng)驗和研究,在HGEST預(yù)定標(biāo)系統(tǒng)中,可以

沉淀那些傾向于沉淀的水垢,但也會導(dǎo)致二氧化硅沉淀。二氧化硅沉積物是由于水中其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀,并且其他多價離子的沉淀與它們反應(yīng)。二氧化硅的溶解

度取決于許多因素,例如pH,溫度,水中的粒度,顆粒的水合作用和存在的其他離子。硬質(zhì)二氧化硅垢是由碳酸鈣或其他礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)的二氧化硅的晶格形成。只

能通過絕對控制腐蝕和微生物來防止二氧化硅沉淀。 杭州桂冠環(huán)保科技有限公司開發(fā)了一種電解系統(tǒng),可防止結(jié)垢和二氧化硅沉淀。電解系統(tǒng)與HGEST系統(tǒng)串聯(lián)使用,

以幫助HGEST,更好地推進(jìn)和更有效地在水系統(tǒng)中沉淀二氧化硅并防止二氧化硅結(jié)晶。電解系統(tǒng)由不同材料的陽極通過衛(wèi)生部門批準(zhǔn)的不同組分和標(biāo)準(zhǔn)組成,以防止二

氧化硅結(jié)垢。近發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)有:

生成氧氣

4HO- → O2(g) + 2H20 + 4e-

游離氯

Cl- – e- → Cl0

氯氣

2Cl-(aq) → Cl2(g) + 2e-

臭氧

O2 + 2HO- – 2e- → O3(g) + H2O

自由基

OH- – e- → OH0

過氧化氫

2H2O – 2 e- → H2O2 + 2H+

氧自由基

2H2O – 2e- → O0 + 2 H+

反應(yīng)室

電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

特殊長壽命鈦基電極,專門為大電流而設(shè)計,表面涂覆氧化鎳涂層(TiNiO),該電極是杭州桂冠環(huán)??萍加邢薰緦iT為EST系統(tǒng)設(shè)計的。

微電腦控制的全自動活塞,用于自動清理反應(yīng)室中形成的水垢。

①      反應(yīng)室(陰極)②      陽極③      汽缸④      進(jìn)水口⑤      排污口⑥      刮刀⑦      出水口⑧      供電和控制單元

⑨      刮刀導(dǎo)桿供電和控制單元包括

一個用于停止系統(tǒng)動作的重置按鈕。電導(dǎo)率測試電路,用于根據(jù)所處理的水的電導(dǎo)率來調(diào)整工作電流。

根據(jù)不同的處理程序提供相應(yīng)的可選擇功能。


監(jiān)測EST系統(tǒng)的工作狀態(tài),配電柜面板上有四個數(shù)據(jù)顯示,電導(dǎo)率,電解電流pH


除垢和自清洗過程必要的時候,微電腦給出命令,驅(qū)動馬達(dá),這個刮刀與反應(yīng)室的內(nèi)部尺寸正好吻合。進(jìn)水閥門自動關(guān)閉,馬達(dá)緩慢旋轉(zhuǎn),將反應(yīng)室內(nèi)壁上的軟性的水

垢清掃和刮洗到反應(yīng)室的底部,接著出水閥門自動打開,通過一臺大功率的泵將積累起來的水垢抽出反應(yīng)室。最后進(jìn)水閥門打開,新鮮的水進(jìn)入反應(yīng)室。這個過程周期

性進(jìn)行,由EST微電腦控制。

HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)的兩個應(yīng)用


HGEST系統(tǒng)和冷卻塔的組合方式有兩種:


在冷卻塔中,EST系統(tǒng)能在兩種情形中組合。

A 補(bǔ)給水處理;

B 冷卻循環(huán)水旁流處理。

選擇A 時,HGEST系統(tǒng)安裝在補(bǔ)給水管路上,只處理補(bǔ)給水。HGEST系統(tǒng)的大小由此流量確定。

選擇B 時,所有的冷卻水都被處理。在冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和EST系統(tǒng)之間須要安裝一臺循環(huán)泵,所有的冷卻水都被處理,包括補(bǔ)充水。這是根據(jù)客戶需要的解決方案,因

為隨著濃縮倍率的增加,水的硬度也會增加。在這種情況下,EST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。

注意:泵是可選項。

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計有下面五種流量,大流量設(shè)計請洽代理商。詳見 http://m.douaibo.com/product/list/20170106090733.html 

EST 5,流量5 m3/hr;EST 5表示5m3/h;

EST 10,流量10 m3/hr;

EST 15,流量15 m3/hr;

EST 25,流量25 m3/hr。

工作壓力為6bar。

最大工作溫度50℃。正常使用情況下,HGEST系統(tǒng)保質(zhì)期12月。電解水處理器廠家助力企業(yè)零排放

根據(jù)多年的經(jīng)驗和研究,在EST預(yù)結(jié)垢系統(tǒng)中,既能沉淀那些傾向沉淀的垢,但也能導(dǎo)致硅石沉淀。硅石沉積是因為在水中與其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀,沉淀其他多價

離子與其發(fā)生反應(yīng)。

硅石的溶解性取決于很多因素,例如:pH 值,溫度,水中微粒的大小,微粒的水合作用以及其它存在的離子。堅硬硅石垢是在碳酸鈣或者其它礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)硅石

的晶格形成。只有通過絕對控制腐蝕和微生物才可能預(yù)防硅石沉淀。

杭州桂冠環(huán)保科技有限公司已經(jīng)研發(fā)了電解系統(tǒng)用來防止垢結(jié)晶以及硅石的沉淀。電解系統(tǒng)與HGEST系統(tǒng)串聯(lián)起來使用,輔助EST、更好的推動以及更有效的在水系統(tǒng)中

對硅石沉淀和防止硅石結(jié)晶。+電解系統(tǒng)由不同材料通過不同部件以及健康部門允許的標(biāo)準(zhǔn)組成的陽極所構(gòu)成,用來阻止硅石垢結(jié)晶。

累計水垢被泵送通過高功率泵離開反應(yīng)室。 。最后,入口閥打開,淡水進(jìn)入反應(yīng)室。該過程周期性地執(zhí)行并由HGEST微計算機(jī)控制。 HGEST系統(tǒng)在冷卻水系統(tǒng)中的兩種

應(yīng)用 將HGEST系統(tǒng)和冷卻塔結(jié)合使用有兩種方法: 在冷卻塔中,HGEST系統(tǒng)可以在兩種情況下組合。 補(bǔ)水處理; B冷卻循環(huán)水旁路處理。 選擇A時,HGEST系統(tǒng)安裝在

供應(yīng)線上,僅供應(yīng)補(bǔ)給水。 HGEST系統(tǒng)的大小由該流程確定。 選擇B時,處理所有冷卻水。冷卻水循環(huán)系統(tǒng)和HGEST系統(tǒng)之間需要循環(huán)泵,所有冷卻水都經(jīng)過處理,包

括補(bǔ)給水。這是一種基于客戶需求的解決方案,因為隨著濃度比的增加,水的硬度增加。在這種情況下,HGEST系統(tǒng)需要適當(dāng)調(diào)整大小。 注意:泵是可選的。 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)

計有以下五種流程,請聯(lián)系代理商進(jìn)行大流量設(shè)計。 HGEST 5,流速5 m3/hr; HGEST 5表示5m3/h; HGEST 10,流量10 m3/hr; HGEST 15,流量15 m3/hr; HGEST 25,

流量25 m3/hr。 工作壓力為6巴。 最高工作溫度為50°C。在正常使用情況下,HGEST系統(tǒng)的保質(zhì)期為12個月。 根據(jù)多年的經(jīng)驗和研究,在HGEST預(yù)定標(biāo)系統(tǒng)中,可以

沉淀那些傾向于沉淀的水垢,但也會導(dǎo)致二氧化硅沉淀。二氧化硅沉積物是由于水中其他礦物質(zhì)的聚合和沉淀,并且其他多價離子的沉淀與它們反應(yīng)。二氧化硅的溶解

度取決于許多因素,例如pH,溫度,水中的粒度,顆粒的水合作用和存在的其他離子。硬質(zhì)二氧化硅垢是由碳酸鈣或其他礦物質(zhì)的沉積誘導(dǎo)的二氧化硅的晶格形成。只

能通過絕對控制腐蝕和微生物來防止二氧化硅沉淀。 杭州桂冠環(huán)??萍加邢薰鹃_發(fā)了一種電解系統(tǒng),可防止結(jié)垢和二氧化硅沉淀。電解系統(tǒng)與HGEST系統(tǒng)串聯(lián)使用,

以幫助HGEST,更好地推進(jìn)和更有效地在水系統(tǒng)中沉淀二氧化硅并防止二氧化硅結(jié)晶。電解系統(tǒng)由不同材料的陽極通過衛(wèi)生部門批準(zhǔn)的不同組分和標(biāo)準(zhǔn)組成,以防止二

氧化硅結(jié)垢。 詳見 http://m.douaibo.com/product/list/20170106090733.html HG


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